嘉兴国家高新区（高照街道）一季度重大项目集中签约仪式举行，其中包括总投资约52亿元的瓷新半导体材料总部项目——该项目计划建设年产3000万片的氮化硅基板及3000万片氮化硅覆铜板。
氮化硅基板不仅兼顾力学性能和导热要求，且拥有低膨胀系数、抗氧化性能、热腐蚀性能、低介电损耗、低摩擦系数等方面具有优异的性能，有力支撑了功率半导体器件的发展。氮化硅覆铜板以电动汽车IGBT模块应用为例，作为控制电机的关键组件，IGBT模块需要承受高温、高电压和高电流等极端条件，而氮化硅覆铜板不仅可以有效地将模块产生的热量传导到外部，还具有优异的介电性能和机械强度，能够有效隔离和支撑模块中的电子元件，从而为电动汽车的性能和可靠性提供了支持。
随着生产技术水平的进步，，高强度高导热氮化硅陶瓷基板项目将越来越多，助力更多相关产业的发展进步。
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